Vælg dit land eller din region.

Samsung siger, at HBM5 vil bruge 2nm GAA-processen og levere over 50% præstationsforøgelse i forhold til HBM4E

HBM4E

Den 27. juli frigav Samsung Electronics et officielt interview med Koo Ja-hyun, leder af teknologisk udvikling for virksomhedens halvlederforretning. I interviewet skitserede Samsung for første gang procesarkitekturen, forventede præstationsforbedringer og målrettede applikationer for sin næste generations HBM5 høj-båndbredde hukommelse og tilbød klarere vejledning til branchens HBM-vejkort.

Koo sagde, at HBM5 forventes at køre mere end 50% hurtigere end den aktuelt masseproducerede HBM4E-generation. Den centrale grunddie vil blive fremstillet ved hjælp af en 2-nanometer gate-all-around transistor proces og kombineret med yderligere opgraderet, højt integreret gennem-silikon via teknologi. Designet er beregnet til at levere præstationsgevinster på tværs af transistorarkitektur, wafer-proces teknologi og stablede interconnects.

Samsung vil bygge videre på den procesoplevelse og masseproduktionskapaciteter, som de har opnået ved at producere HBM4 grunddies på deres 4-nanometer node. Ved at introducere en avanceret 2-nanometer proces i HBM5 på forhånd, sigter virksomheden mod at styrke sin teknologiske position på det høje AI-hukommelsesmarked.

På markedets udvidelsesfront planlægger Samsung at bruge HBM5 som et kerneprodukt for at udvide sin kundedækning på tværs af flere markeder. Udover at understøtte AI store-modelleringstræning og højtydende computerapplikationer forventes produktet at udvide sig til mobile enheder, bil elektronik, humanoide robotter og andre fremvoksende segmenter. Gennem sine højtydende hukommelsesprodukter sigter Samsung mod at imødekomme computerefterspørgslen på tværs af flere enhedskategorier og yderligere udvide sit halvleder-økosystem.

Interviewet afspejler Samsungs nuværende planer for teknologisk udvikling. Virksomheden afslørede ikke detaljer om udbytteforøgelsen for sin 2-nanometer GAA-proces, masseproduktionsudfordringerne ved højt integreret TSV-stabling eller prøve- og volumenproduktionsplanen for HBM5.

Brancheobservatører forventer generelt, at HBM5 vil blive en standard hukommelsesløsning for højtydende AI-acceleratorer omkring 2028. Yderligere detaljer om produktspecifikationer, kundekvalifikationer og produktionskapacitet forventes at blive offentliggjort ved fremtidige Samsung teknologiske events eller indtjeningsbriefinger.